Η μέθοδος παραγωγής πολυστρωματικών πλακών γενικά γίνεται πρώτα από τα γραφικά του εσωτερικού στρώματος, μετά με τη μέθοδο εκτύπωσης και χάραξης για την κατασκευή ενός υποστρώματος μονής ή διπλής όψης και στο καθορισμένο στρώμα μεταξύ, και στη συνέχεια με θέρμανση, συμπίεση και συγκόλληση, όσο για την επόμενη διάτρηση είναι η ίδια με τη μέθοδο διπλής όψεως επιμετάλλωσης διαμπερούς οπής.
1. Πρώτα απ 'όλα, πρέπει πρώτα να κατασκευαστεί η πλακέτα κυκλώματος FR4.Μετά την επίστρωση του διάτρητου χαλκού στο υπόστρωμα, οι τρύπες γεμίζονται με ρητίνη και οι επιφανειακές γραμμές σχηματίζονται με αφαιρετική χάραξη.Αυτό το βήμα είναι το ίδιο με τη γενική πλακέτα FR4 εκτός από το γέμισμα των διατρήσεων με ρητίνη.
2. Η φωτοπολυμερής εποξειδική ρητίνη εφαρμόζεται ως το πρώτο στρώμα μόνωσης FV1, και μετά την ξήρανση, η φωτομάσκα χρησιμοποιείται για το βήμα έκθεσης και μετά την έκθεση, χρησιμοποιείται διαλύτης για την ανάπτυξη της κάτω οπής της οπής μανταλιού.Η σκλήρυνση της ρητίνης πραγματοποιείται μετά το άνοιγμα της οπής.
3. Η επιφάνεια της εποξειδικής ρητίνης τραχύνεται με χάραξη με υπερμαγγανικό οξύ, και μετά τη χάραξη, σχηματίζεται ένα στρώμα χαλκού στην επιφάνεια με επιμετάλλωση χωρίς ηλεκτρικό χαλκό για το επόμενο βήμα επιμετάλλωσης χαλκού.Μετά την επιμετάλλωση, σχηματίζεται το στρώμα αγωγού χαλκού και το στρώμα βάσης σχηματίζεται με αφαιρετική χάραξη.
4. Επικαλυμμένο με ένα δεύτερο στρώμα μόνωσης, χρησιμοποιώντας τα ίδια βήματα ανάπτυξης έκθεσης για να σχηματιστεί μια οπή μπουλονιού κάτω από την οπή.
5. Εάν χρειάζεται διάτρηση, μπορείτε να χρησιμοποιήσετε τη διάνοιξη οπών για να σχηματίσετε διατρήσεις μετά το σχηματισμό χαλκού ηλεκτρολυτικής χάραξης για να σχηματίσετε το σύρμα.
στο εξωτερικό στρώμα της πλακέτας κυκλώματος επικαλυμμένο με βαφή αντικασσιτέρου και η χρήση της μεθόδου ανάπτυξης έκθεσης για την αποκάλυψη του τμήματος επαφής.
6. Εάν ο αριθμός των στρώσεων αυξάνεται, βασικά απλώς επαναλάβετε τα παραπάνω βήματα.Εάν υπάρχουν επιπλέον στρώματα και στις δύο πλευρές, το στρώμα μόνωσης πρέπει να επικαλυφθεί και στις δύο πλευρές του στρώματος βάσης, αλλά η διαδικασία επιμετάλλωσης μπορεί να πραγματοποιηθεί και στις δύο πλευρές ταυτόχρονα.
Ώρα δημοσίευσης: Νοε-09-2022